MOS管并联注意事项 1、饱和压降VDs或导通RDSon： 对所有并联的MOS管而言，导通时其管压降是相同的，其结果必然是饱和电压小的MOS管先流过较大的电流，随着结温的升高，管压降逐渐增...

MOS管封装失效原因（3） 雪崩击穿 导致反向击穿的一个机制是avalanche multiplication。考虑一个反向偏置的PN结。耗尽区随着偏置上升而加宽，但还不够快到阻止电场的加强。强大的电场加...

MOS管封装失效原因（2） 应力集中导致芯片碎裂 芯片碎裂一般有两个主要原因，内因：芯片本身强度不够；外因：应力集中。由内因造成的芯片碎裂只需剔除不良芯片即可，不再赘述。...

MOS管封装失效原因（1） 封装，顾名思义是将集成电路包封起来，达到与外加隔离的目的。在工程师的日常工作当中，时不时会遇到一些MOS管封装失效，本文总结了一些失效的案例，仅...

MOS管的开关性能 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，...