MOS管封装失效原因（2）
作者：admin 点击：
次 发布时间：2022-03-24
MOS管封装失效原因（2）
应力集中导致芯片碎裂
芯片碎裂一般有两个主要原因，内因：芯片本身强度不够；外因：应力集中。由内因造成的芯片碎裂只需剔除不良芯片即可，不再赘述。
硅和其他半导体材料属于高脆性材料，在材料完整无缺时，外加应力在样品上的上的分布是均匀的，它们在碎裂时是由原子间的键发生断裂，因而它们的机械强度就取决于键的强度。
在材料表面出现划痕后，外加应力时，出现应力集中现象。特别对于垂直于表面划痕的张应力，应力集中于裂纹的尖端。当其应力超过材料的应力强度因子时，裂纹就会失去稳定而发生扩展。
因而对于脆性材料来说，表面划痕对材料的强度有很大的影响。再一个是，封装体中各种材料的热膨胀系数不匹配，瞬间受热时引起分层，严重时引起芯片裂纹。
封装树脂耐湿性差，受热时水分气化体积倍增，亦会使得界面发生剥离，严重时引起裂纹。
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