MOS管其它效原因 1.焊锡膏开裂 焊锡膏空洞或芯片粘结不良，键合引线下方的焊锡膏开裂。 2.SOA失效（电流失效） 既超出mosFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，...

MOS管动态参数 IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于 MOSFET 输入阻抗很大,IGSS 通常在纳安级. IDSS :饱满漏源电流,栅极电压 VGS=0 、 VDS 为必定值时的漏源电流.通常在微安级. VGS(th) :敞开电压...

MOS管静态参数 TSTG :存储温度范围. Tj:最大作业结温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ,器材规划的作业前提下须确应防止超越这个温度,并留有必定裕量. （此参数靠不住） VGS:最大栅源电压.，通常为...

...

MOS管参数详解 ards---漏源电阻温度系数 aID---漏极电流温度系数 Vn---噪声电压 ---漏极效率（射频功率管） Zo---驱动源内阻 VGu---栅衬底电压（直流） VDu---漏衬底电压（直流） Vsu---源衬底电...