MOS管封装失效原因（3）
作者：admin 点击：
次 发布时间：2022-03-24
MOS管封装失效原因（3）
雪崩击穿
导致反向击穿的一个机制是avalanche multiplication。考虑一个反向偏置的PN结。耗尽区随着偏置上升而加宽，但还不够快到阻止电场的加强。强大的电场加速了一些载流子以非常高的速度穿过耗尽区。
当这些载流子碰撞到晶体中的原子时，他们撞击松的价电子且产生了额外的载流子。因为一个载流子能通过撞击来产生额外的成千上外的载流子就好像一个雪球能产生一场雪崩一样，所以这个过程叫雪崩击穿。
在Mosfet关断的情况下，沟道电流（漏极电流）会起到一个感性负载作用，漏极电压升高以维持漏极电流恒定。在忽略其它原因时，漏极电流越大电压会升高得越快。
如果没有外部钳位电路，漏极电压将持续升高，漏极体二极管雪崩倍增产生载流子，持续导通模式，激活寄生晶体管导通，MOSFET会达到低压大电流状态，进而造成雪崩击穿。
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