MOS管静态参数
作者：admin 点击：
次 发布时间：2022-03-30
MOS管静态参数
TSTG :存储温度范围.
Tj:最大作业结温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ,器材规划的作业前提下须确应防止超越这个温度,并留有必定裕量. （此参数靠不住）
VGS:最大栅源电压.，通常为：-20V~+20V
PD:最大耗散功率.是指场效应管机能不变坏时所容许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量.此参数通常会随结温度的上升而有所减额.（此参数靠不住）
IDM:最大脉冲漏源电流.表现一个抗冲击才能，跟脉冲时刻也有联系，此参数会随结温度的上升而有所减额.
ID:最大漏源电流.是指场效应管正常作业时,漏源间所容许经过的最大电流.场效应管的作业电流不应超越 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.
