MOS管参数详解
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次 发布时间：2022-03-29
MOS管参数详解
ards---漏源电阻温度系数
aID---漏极电流温度系数
Vn---噪声电压
η---漏极效率（射频功率管）
Zo---驱动源内阻
VGu---栅衬底电压（直流）
VDu---漏衬底电压（直流）
Vsu---源衬底电压（直流）
VGD---栅漏电压（直流）
VDS(sat)---漏源饱满电压
VDS(on)---漏源通态电压
V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压
Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）
VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）
VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）
VGSR---反向栅源电压（直流）
VGSF--正向栅源电压（直流）
Tstg---贮成温度
Tc---管壳温度
Ta---环境温度
Tjm---最大容许结温
Tj---结温
PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）
POUT---输出功率
PIN--输入功率
PDM---漏极最大容许耗散功率
PD---漏极耗散功率
R(th)ja---结环热阻
R(th)jc---结壳热阻
RL---负载电阻（外电路参数）
Rg---栅极外接电阻（外电路参数）
rGS---栅源电阻
rGD---栅漏电阻
rDS(of)---漏源断态电阻
rDS(on)---漏源通态电阻
rDS---漏源电阻
Ls---源极电感
LD---漏极电感
L---负载电感（外电路参数）
Ku---传输系数
K---失调电压温度系数
gds---漏源电导
ggd---栅漏电导
GPD---共漏极中和高频功率增益
GpG---共栅极中和高频功率增益
Gps---共源极中和高频功率增益
Gp---功率增益
gfs---正向跨导
Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）
Iu---衬底电流
IDSS2---对管第二管漏源饱满电流
IDSS1---对管第一管漏源饱满电流
IGSS---漏极短路时截止栅电流
IF---二极管正向电流
IGP---栅极峰值电流
IGM---栅极脉冲电流
IGSO---漏极开路时，截止栅电流
IGDO---源极开路时，截止栅电流
IGR---反向栅电流
IGF---正向栅电流
IG---栅极电流（直流）
IDS(sat)---沟道饱满电流（漏源饱满电流）
IDSS---栅-源短路时，漏极电流
IDSM---最大漏源电流
IDS---漏源电流
IDQ---静态漏极电流（射频功率管）
ID(on)---通态漏极电流
dv/dt---电压上升率（外电路参数）
di/dt---电流上升率（外电路参数）
Eas:单次脉冲雪崩击穿能量
Ear:重复雪崩击穿能量
Iar: 雪崩电流
