MOS管动态参数
作者：admin 点击：
次 发布时间：2022-03-30
MOS管动态参数
IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于 MOSFET 输入阻抗很大,IGSS 通常在纳安级.
IDSS :饱满漏源电流,栅极电压 VGS=0 、
VDS 为必定值时的漏源电流.通常在微安级.
VGS(th) :敞开电压(阀值电压).当外加栅极操控电压 VGS超越VGS(th)
时,漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道.应用中,常将漏极短接前提下 ID即是毫安时的栅极电压称为敞开电压.此参数通常会随结温度的上升而有所下降.
RDS(on) :在特定的 VGS (通常为 10V)、结温及漏极电流的前提下, MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率.此参数通常会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）. 故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算.
△V(BR)DSS/ △
Tj :漏源击穿电压的温度系数,通常为0.1V/ ℃.
V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指栅源电压 VGS 为 0
时,场效应管正常作业所能接受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的作业电压必需小于V(BR)DSS .它具有正温度特性.故应以此参数在低温前提下的值作为安全考虑. 加负压非常好。
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