碳化硅MOS管的应用 碳化硅MOSFET 组件在光伏、风电、电动汽车、轨道交通等中、大功率电力系统应用中具有巨大优势。碳化硅器件的高电压、高频率、高效率的优势，可以突破现有电动...

碳化硅MOS的优点 硅IGBT通常只能工作在20kHz以下的频率。由于材料的限制，高压和高频硅器件无法实现。 碳化硅MOSFET 不仅适用于600V至10kV的宽电压范围，而且具有单极器件的优良开关性...

第三代半导体---碳化硅（SIC） SiC从20世纪70年代开始发展。2001年SiCSBD商用，2010年SiCMOSFET商用。SiCIGBT仍在开发中。SiC可以大幅度降低功率转换中的开关损耗，因此具有更好的能量转换效...

第三代半导体材料介绍 第三代 半导体 材料。 起源时间： 美国早在1993年就已经研制出第一个氮化镓材料和器件，而我国最早的研究团队中国科学院半导体研究所也于1995年开始这方面的...

半导体主要材料及应用 在第三代 半导体 中，与GaN相比，SiC的开发早于GaN，其技术成熟度也更高。两者之间的一个很大的区别是导热性，这使得SiC在高功率应用中占据了至高无上的地位...