快恢复与肖特基二极管的区别
作者：admin 点击：
次 发布时间：2022-05-14
在电子行业中使用快恢复二极管和肖特基二极管的客户并不少，但是真正可以说出它们之间的区别就很少，那么我们作为快恢复二极管和肖特基二极管的生产厂家，我们是有义务去为客户解答的，下面就由我来为各大客户简单讲解一下。
肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作，电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。
肖特基二极管是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺染剂的N一外延层。阳性（阻挡层）金属材料是钼，。二氧化硅用来消除边缘区域电场，提高肖特基二极管的耐压值。N型基片掺杂浓度比N一层高100倍，具有很小的通态电阻。基片下部的N+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。
快恢复二极管是近年来问世的新型半导体器件，它具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管，在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
快恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间trr，其定义是：电流流过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定的值Irr时的时间间隔，它是衡量高频续流、整流器件性能的重要技术参数。
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。
肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作，电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。
肖特基二极管是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺染剂的N一外延层。阳性（阻挡层）金属材料是钼，。二氧化硅用来消除边缘区域电场，提高肖特基二极管的耐压值。N型基片掺杂浓度比N一层高100倍，具有很小的通态电阻。基片下部的N+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。
快恢复二极管是近年来问世的新型半导体器件，它具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管，在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
快恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间trr，其定义是：电流流过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定的值Irr时的时间间隔，它是衡量高频续流、整流器件性能的重要技术参数。
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。
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