mos管功耗-低功耗趋势
作者：admin 点击：
次 发布时间：2022-04-07
mos管功耗-低功耗趋势
封装的小型化使封装的热阻降低，功率耗散才能进步，相同电压电流规格或者功率规格的产品，个头小的，功率耗散才能更高，这似乎与我们的生活常识有些相悖，但是事实确实如此。
VMOS的通态功耗，业界习气于用饱和导通电阻RDS(ON)来权衡，这是不太客观的，由于电流规格在很大水平上影响着RDS(ON)的数值，其内在缘由是VMOS管的管芯是由大量管芯单元(Cell)构成的，很显然，其他条件相同的情况下，电流规格越小，RDS（ON)越大。
一个相对客观的办法是将管芯面积的要素思索进来，将管芯面积A与RDS(ON)相乘，得到一个名为“本征电阻”的参数以减少电流规格的影响。本征电阻小，就意味着要么电流规格很高，要么适用的开关频率很高。另一方面，管芯制程（芯片的设计与制造规程）的开展使管芯单元的密度逐步提高，也有利于管芯的小型化。在功率半导体方面，耗散功率会限制管芯制程的进一步减小，这方面还是滞后于小功率IC的。
