交流电如何通过整流二极管来降压
作者：admin 点击：
次 发布时间：2023-11-27
交流电如何通过整流二极管来降压
整流二极管（rectifier diode）一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。
二极管最重要的特性就是单方向导电性，在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。P区的载流子是空穴，N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。
外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V），称为正向导通状态。若加相反的电压，使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。
硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造（掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
二极管最重要的特性就是单方向导电性，在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。P区的载流子是空穴，N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。
外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V），称为正向导通状态。若加相反的电压，使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。
硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造（掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
采用电容降压时应注意以下几点：
1. 根据负载的电流大小和交流电的工作频率选取适当的电容，而不是依据负载的电压和功率。
2. 限流电容必须采用无极性电容，绝对不能采用电解电容。而且电容的耐压须在400V以上。最理想的电容为铁壳油浸电容。
3. 电容降压不能用于大功率条件，因为不安全。
4. 电容降压不适合动态负载条件。
5. 同样，电容降压不适合容性和感性负载。
6. 当需要直流工作时，尽量采用半波整流。不建议采用桥式整流。而且要满足恒定负载的条件。
7. 电容降压式电源是一种非隔离电源，在应用上要特别注意隔离，防止触电。
