ESD防静电二极管参数详解_MOS管,二极管,高压二极管,高压硅堆,桥堆生产厂家-广东佑风微电子有限公司

作者：admin 点击：次发布时间：2023-10-26

ESD防静电二极管参数详解

VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。

VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。? IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。

IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。

VC：钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。

C J：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。