场效应晶体管的型号命名和工作原理
作者：admin 点击：
次 发布时间：2023-09-18
场效应晶体管的型号命名和工作原理
型号命名
有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，0代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3D06C是绝缘栅型N沟道场效应二极管。
第二种命名方法是CSxx#，CS代表场效应管，xx以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A.CS45G等。
工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流
被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让/GS=VGS(of)，此时过渡层大致成为看盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过演层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
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