双向可控硅使用条件
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次 发布时间:2023-05-25
双向可控硅使用条件
(1)外加电压下允许超过正向转折电压,否则控制极将不起作用。
(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取。
(3)为保证控制极可靠触发,加到控制极的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必须采取保护措施,一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流侧或直流侧,当在交流侧时额定电流取大些。
一般多采用前者,过电压保护常发生在存在电感的电路上,或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
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